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網(wǎng)站首頁  ◇  產(chǎn)品展示    ◇   ◇   石墨烯薄膜制備設(shè)備 > LFT1400C 800D802ZZnO納米材料生長
ZnO納米材料生長

更新時間:  2025-01-14

產(chǎn)品型號:  LFT1400C 800D802Z

產(chǎn)品報價:  

所  在  地:  合肥市新站區(qū)穎河路22號

產(chǎn)品特點:  ZnO納米材料生長設(shè)備,由氣體流量計控制系統(tǒng)、液體注液系統(tǒng)、多段溫度可控多區(qū)生長系統(tǒng)、水冷卻系統(tǒng)、碳納米線或膜收集系統(tǒng),紅外烘干系統(tǒng)組成。

(聯(lián)系我時,請說明是在化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝?。?/div>
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產(chǎn)品概述

一、設(shè)備特點

 碳納米膜制備設(shè)備由氣體質(zhì)量流量計控制系統(tǒng)、液體注液系統(tǒng)、多段溫度可控多區(qū)生長系統(tǒng)、水冷卻系統(tǒng)、碳納米線或膜收集系統(tǒng),紅外烘干系統(tǒng)等組成。生長爐的最高溫度1400℃,并可在0-1400℃之間連續(xù)可調(diào),垂直式分布熱場,三點控溫(三段長度平均分配),設(shè)備頂部設(shè)有注液口、導(dǎo)流器。爐體采用雙層殼體結(jié)構(gòu)并帶有風(fēng)冷系統(tǒng),保溫材料為加厚型,殼體表面溫度小于60℃。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料,加熱元件為優(yōu)質(zhì)硅碳棒。測溫采用適用于高溫環(huán)境的“S”型熱電偶,直接和式樣接觸,以提高控溫的精確性。本款碳納米管或膜CVD設(shè)備可以實現(xiàn)連續(xù)生長不間斷的特點。

二、技術(shù)參數(shù)

型號

LFT1400C 800D802Z

額定功率

20KW(參考)

額定電壓

AC220V 50/60HZ

最高溫度

1400℃

額定溫度

1300℃

推薦升溫速率

200℃以下≤5℃/min,200-1400℃以下≤10℃/min,1400℃到1600℃≤5℃/min

爐管尺寸

(可根據(jù)客戶要求訂制)

Φ80× 1400mm(剛玉管)

控溫精度

±1℃

極限真空度(選件)

1.0×10-3Pa(機(jī)械泵+分子泵)

加熱元件

硅碳棒

重量

230KG(參考)

 

 

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